Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD30N10S3L34ATMA1
- RS Stock No.:
- 753-3018
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 630 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB426.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB456.09
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 36,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 620 | THB42.625 | THB426.25 | - |
| 630 - 1240 | THB41.562 | THB415.62 | 2% |
| 1250 + | THB40.922 | THB409.22 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 753-3018
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | OptiMOS-T | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 42mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.3mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series OptiMOS-T | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.3mm | ||
Length 6.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD35N10S3L26ATMA1
- Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N12S3L15ATMA1
- Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70N12S311ATMA1
- Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB17N25S3100ATMA1
- Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP70N12S311AKSA1
- Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB50N12S3L15ATMA1
- Infineon OptiMOS-T N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB160N04S203ATMA4
