Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 823-5560
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-485
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SPP15P10PLHXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB371.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB398.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 5 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB74.39	THB371.95
15 - 20	THB72.53	THB362.65
25 +	THB71.414	THB357.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 823-5560
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-485
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SPP15P10PLHXKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SIPMOS
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	270mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	128W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	47nC
	Forward Voltage Vf	-0.96V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.36mm
	Width	4.57 mm
	Height	15.95mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SIPMOS
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 270mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 128W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC
	Forward Voltage Vf -0.96V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.36mm
	Width 4.57 mm
	Height 15.95mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: MY

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS^® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

· AEC Q101 Qualified (Please refer to datasheet)

· Pb-free lead plating, RoHS compliant

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง