Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 823-5560
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP15P10PLHXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB371.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB398.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB74.39 | THB371.95 |
| 15 - 20 | THB72.53 | THB362.65 |
| 25 + | THB71.414 | THB357.07 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 823-5560
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP15P10PLHXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | SIPMOS | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 270mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -0.96V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 128W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.36mm | |
| Height | 15.95mm | |
| Width | 4.57 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-485 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series SIPMOS | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 270mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -0.96V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 128W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.36mm | ||
Height 15.95mm | ||
Width 4.57 mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-485 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SPP15P10PLHXKSA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SPP80P06PHXKSA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin SOT-89
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
