Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V Enhancement, 3-Pin SOT-89

RS Stock No.:: 145-9451
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS192PH6327FTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V Enhancement, 3-Pin SOT-89

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB6,783.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,258.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB6.783	THB6,783.00
2000 - 3000	THB6.58	THB6,580.00
4000 +	THB6.382	THB6,382.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-9451
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS192PH6327FTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	190mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Package Type	SOT-89
	Series	SIPMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.5 mm
	Length	4.5mm
	Height	1.5mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 190mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Package Type SOT-89
	Series SIPMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.5 mm
	Length 4.5mm
	Height 1.5mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS^® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A Plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

· AEC Q101 Qualified (Please refer to datasheet)

· Pb-free lead plating, RoHS compliant

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V Enhancement, 3-Pin SOT-89

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง