Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 190 mA, 250 V Enhancement, 3-Pin SOT-89
- RS Stock No.:
- 145-9451
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS192PH6327FTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB8,777.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,391.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB8.777 | THB8,777.00 |
| 2000 - 3000 | THB8.514 | THB8,514.00 |
| 4000 + | THB8.259 | THB8,259.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 145-9451
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS192PH6327FTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | SOT-89 | |
| Series | SIPMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 4.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type SOT-89 | ||
Series SIPMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.5mm | ||
Length 4.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Series MOSFET, 250V Maximum Drain Source Voltage, 190mA Maximum Continuous Drain Current - BSS192PH6327FTSA1
This MOSFET is a P‑channel device designed for surface‑mount power switching in demanding electrical environments. It functions as an enhancement‑mode transistor suited to applications requiring controlled high‑voltage switching and low continuous current handling, operating across a wide temperature span for use in regulated systems and automotive electronics.
Features and Benefits:
• 250V drain‑source rating enables high‑voltage switching capability
• 190mA continuous drain current supports low‑current load control
• 20Ω maximum Rds reduces conduction loss in low‑current circuits
• 4.9nC typical gate charge at Vgs ensures predictable switching behaviour
• 20V gate‑source limit allows straightforward gate drive designs
• 1W maximum power dissipation manages thermal constraints in compact layouts
• 190mA continuous drain current supports low‑current load control
• 20Ω maximum Rds reduces conduction loss in low‑current circuits
• 4.9nC typical gate charge at Vgs ensures predictable switching behaviour
• 20V gate‑source limit allows straightforward gate drive designs
• 1W maximum power dissipation manages thermal constraints in compact layouts
Applications
• Suitable for automotive sensor power path switching
• Ideal for low‑power reverse polarity protection circuits
• Used with high‑voltage battery management subsystems
• Can be used for small relay replacement in control modules
• Appropriate for surface‑mount power distribution on compact boards
• Ideal for low‑power reverse polarity protection circuits
• Used with high‑voltage battery management subsystems
• Can be used for small relay replacement in control modules
• Appropriate for surface‑mount power distribution on compact boards
What thermal range can it tolerate in harsh conditions?
It operates reliably from -55°C up to 150°C to suit extended temperature environments.
How many pins does the package present for PCB layout?
The component is supplied with three pins, enabling standard SOT‑89 footprint routing.
Which package style should designers expect for assembly?
It arrives in a SOT‑89 surface‑mount package tailored for compact board designs.
Is the device rated for automotive qualification standards?
It conforms to AEC‑Q101, meeting industry stress screening for automotive use.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 BSS192PH6327FTSA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP317PH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP92PH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
