DiodesZetex Full Bridge 4 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 4.98 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC ZXMHC3F381N8TC
- RS Stock No.:
- 751-5344
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ZXMHC3F381N8TC
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB143.64
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB153.695
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 24,440 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB28.728 | THB143.64 |
| 625 - 1245 | THB28.01 | THB140.05 |
| 1250 + | THB27.58 | THB137.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 751-5344
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ZXMHC3F381N8TC
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.98A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.35W | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Full Bridge | |
| Standards/Approvals | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Number of Elements per Chip | 4 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.98A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.35W | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Full Bridge | ||
Standards/Approvals RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Length 5mm | ||
Height 1.5mm | ||
Width 4 mm | ||
Number of Elements per Chip 4 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 4.98 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 3.1 A 8-Pin
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 3.1 A 8-Pin ZXMHC3A01T8TA
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin SOIC ZXMHC6A07N8TC
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type N 1.8 A 8-Pin ZXMHC6A07T8TA
- DiodesZetex Full Bridge 4 Type P 850 mA 8-Pin SOIC ZXMHC10A07N8TC
