Vishay Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SUD50N04-8M8P-4GE3
- RS Stock No.:
- 818-7470
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB654.18
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB699.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 3,280 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 620 | THB32.709 | THB654.18 |
| 640 - 1240 | THB31.891 | THB637.82 |
| 1260 + | THB31.40 | THB628.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 818-7470
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0088Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 48.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.81V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.38mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0088Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 48.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.81V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.38mm | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3G500GN Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G500GNTL
- ROHM RD3G500GN Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N04S408ATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 40 V N TO-252 IPD50N04S4L08ATMA1
- Vishay SUD50P04-08 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
