Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N04S408ATMA1
- RS Stock No.:
- 110-7766
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD50N04S408ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*
THB596.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB638.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 25 - 600 | THB23.87 | THB596.75 |
| 625 - 1225 | THB23.273 | THB581.83 |
| 1250 + | THB22.915 | THB572.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 110-7766
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD50N04S408ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS-T2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 46W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.5mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS-T2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 46W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.5mm | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
Infineon OptiMOS-T2 Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 50A Maximum Continuous Drain Current - IPD50N04S408ATMA1
This MOSFET is a 40V N‑channel power transistor designed for high‑current switching in surface‑mounted applications. It operates across a wide temperature span and is built to meet automotive stress demands, making it suitable for robust electronic power stages where efficient conduction and thermal endurance are required.
Features and Benefits:
• 7.9mΩ Rds(on) reduces conduction losses for higher efficiency
• 50A continuous drain current enables heavy current switching
• 17.2nC typical gate charge speeds up switching transitions
• 46W maximum power dissipation manages thermal load in operation
• 20V maximum gate tolerance protects against gate overvoltage
• Enhancement‑mode N‑channel provides straightforward gate‑driven control
• 50A continuous drain current enables heavy current switching
• 17.2nC typical gate charge speeds up switching transitions
• 46W maximum power dissipation manages thermal load in operation
• 20V maximum gate tolerance protects against gate overvoltage
• Enhancement‑mode N‑channel provides straightforward gate‑driven control
Applications
• Suitable for 12V automotive power distribution stages
• Ideal for synchronous buck converter output stages
• Used with motor‑drive half‑bridge circuits
• Can be used for high‑current DC‑DC conversion modules
• Suitable for power management in industrial control units
• Ideal for synchronous buck converter output stages
• Used with motor‑drive half‑bridge circuits
• Can be used for high‑current DC‑DC conversion modules
• Suitable for power management in industrial control units
What ambient range can it withstand during operation?
It functions from -55°C up to 175°C, accommodating extreme cold starts and high‑temperature environments.
How does the package affect assembly and thermal path?
The TO‑252 surface‑mount package offers a compact footprint and a direct thermal path to the PCB for heat dissipation.
What gate drive considerations are necessary for reliable switching?
Drive voltages should remain within ±20V of the gate‑source rating and be sufficient to fully enhance the channel for low Rds(on).
How does the device behave under continuous heavy load?
It supports up to 50A continuous drain current while dissipating up to 46W, requiring appropriate PCB thermal design to maintain junction temperatures.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S4L12ATMA2
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
