Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N04S408ATMA1

RS Stock No.:: 110-7766
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50N04S408ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N04S408ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 25 ชิ้น)*

THB607.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB649.975

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 4,250 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
25 - 600	THB24.298	THB607.45
625 - 1225	THB23.69	THB592.25
1250 +	THB23.326	THB583.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 110-7766
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50N04S408ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-252
	Series	OptiMOS-T2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17.2nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	46W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.5mm
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.3mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-252
	Series OptiMOS-T2
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.2nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 46W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.5mm
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.3mm
	Automotive Standard AEC-Q101

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

N-channel - Enhancement mode

AEC qualified

MSL1 up to 260°C Peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N04S408ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง