ROHM RD3G500GN Type N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G500GNTL
- RS Stock No.:
- 172-0437
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G500GNTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB1,104.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,181.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 6,600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | THB44.166 | THB1,104.15 |
| 250 - 475 | THB43.062 | THB1,076.55 |
| 500 - 975 | THB41.985 | THB1,049.63 |
| 1000 - 1975 | THB40.936 | THB1,023.40 |
| 2000 + | THB39.913 | THB997.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 172-0437
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G500GNTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3G500GN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 35W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.8mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302 | |
| Width | 6.4 mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3G500GN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 35W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.8mm | ||
Standards/Approvals JEDEC JESD22-A114, JEDEC JESD22-C101, JEITA ED-4701/302 | ||
Width 6.4 mm | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RD3G500GN Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SUD50N04-8M8P-4GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N04S408ATMA1
- ROHM RD3R05BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3R05BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3R05BBHTL1
- ROHM RD3P07BBH Type N-Channel MOSFET 6 V Enhancement, 3-Pin TO-252
