Vishay Si5419DU Type P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 818-1312
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5419DU-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB216.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB231.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB10.811 | THB216.22 |
| 760 - 1480 | THB10.541 | THB210.82 |
| 1500 + | THB10.379 | THB207.58 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 818-1312
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5419DU-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK ChipFET | |
| Series | Si5419DU | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 31W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Forward Voltage Vf | -0.85V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.08mm | |
| Height | 0.85mm | |
| Width | 1.98 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK ChipFET | ||
Series Si5419DU | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 31W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Forward Voltage Vf -0.85V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.08mm | ||
Height 0.85mm | ||
Width 1.98 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si5419DU Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- Vishay Si5418DU Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- Vishay Si5418DU Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5418DU-T1-GE3
- Vishay SIR4411DP Type P-Channel Single MOSFETs -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS73DN Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Si7121DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
