Vishay SiHF530S N-Channel MOSFET, 14 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF530STRR-GE3
- RS Stock No.:
- 815-2613
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHF530STRR-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 200 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB529.59
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB566.66
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 10 - 190 | THB52.959 | THB529.59 | - |
| 200 - 390 | THB51.635 | THB516.35 | 2% |
| 400 + | THB50.841 | THB508.41 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 815-2613
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHF530STRR-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | SiHF530S | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Forward Voltage Vf | 2.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 88W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.65mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series SiHF530S | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Forward Voltage Vf 2.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 88W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.65mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHF530S N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF530STRR-GE3
- Vishay IRF N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF530PBF
- Vishay E N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHF080N60E-GE3
- Vishay SIHF N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHF074N65E-GE3
- Vishay IRF N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF644SPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9530NSTRLPBF
- onsemi FCB N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB199N65S3
- STMicroelectronics MDmesh 14 A 3-Pin TO-263 STB14NK50ZT4