Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4431CDY-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3215
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4431CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4431CDY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB449.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB481.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

200 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 660 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 620	THB22.483	THB449.66
640 - 1240	THB21.921	THB438.42
1260 +	THB21.583	THB431.66

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3215
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4431CDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	Si4431CDY
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	49mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	4.2W
	Forward Voltage Vf	-0.71V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Width	4 mm
	Height	1.55mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series Si4431CDY
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 49mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 4.2W
	Forward Voltage Vf -0.71V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Width 4 mm
	Height 1.55mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Si4431CDY Type P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4431CDY-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง