N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Si2338DS-T1-GE3

RS Stock No.:: 812-3126
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: Si2338DS-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Si2338DS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ราคา / Price Each: (In a Pack of 20)

THB18.136

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB19.406

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

7980 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
20 +	THB18.136	THB362.72

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 812-3126
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: Si2338DS-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	6 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOT-23
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	33 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	3.04mm
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
Height	1.02mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Si2338DS-T1-GE3

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง