onsemi BS270 Type N-Channel Field Effect Transistor, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 BS270
- RS Stock No.:
- 807-5184
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BS270
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB561.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB600.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 1,750 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 2450 | THB11.232 | THB561.60 |
| 2500 - 4950 | THB10.951 | THB547.55 |
| 5000 + | THB10.783 | THB539.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 807-5184
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BS270
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | Field Effect Transistor | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-92 | |
| Series | BS270 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 625mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.93 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.7mm | |
| Length | 4.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type Field Effect Transistor | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-92 | ||
Series BS270 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 625mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.93 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.7mm | ||
Length 4.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi BS270 Type N-Channel Field Effect Transistor 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- Toshiba SSM6K403TU Type N-Channel Field Effect Transistor 20 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6K403TU
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- ROHM Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS138BKAHZGT116
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 T2N7002BK
- DiodesZetex DMN62 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 DMN62D0UWQ-7
- DiodesZetex DMN62 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
