onsemi BS270 N-Channel Field Effect Transistor, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 BS270

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ เนื่องจากผู้ผลิตกำลังจะยกเลิกการผลิตสินค้านี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
807-5184
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BS270
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Field Effect Transistor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

400mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

BS270

Package Type

TO-92

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

625mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.7mm

Length

4.7mm

Standards/Approvals

No

Width

3.93mm

Automotive Standard

No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง