onsemi BS270 Type N-Channel Field Effect Transistor, 400 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92 BS270

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB561.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB600.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • 150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • 1,750 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
50 - 2450THB11.232THB561.60
2500 - 4950THB10.951THB547.55
5000 +THB10.783THB539.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
807-5184
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BS270
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Field Effect Transistor

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

400mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-92

Series

BS270

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

625mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.93 mm

Standards/Approvals

No

Height

4.7mm

Length

4.7mm

Automotive Standard

No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง