Toshiba SSM6K403TU N-Channel Field Effect Transistor, 4.2 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UF6 SSM6K403TU

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB266.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB284.72

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 1,375 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
การประหยัด
25 - 725THB10.644THB266.10-
750 - 1475THB10.378THB259.452%
1500 +THB10.218THB255.454%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
171-2490
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SSM6K403TU
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Product Type

Field Effect Transistor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

UF6

Series

SSM6K403TU

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

66mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2mm

Height

700μm

Length

1.7mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TH
1.5V drive

Low ON-resistance: Ron = 66mΩ (max) (@VGS = 1.5V)

Ron = 43mΩ (max) (@VGS = 1.8V)

Ron = 32mΩ (max) (@VGS = 2.5V)

Ron = 28mΩ (max) (@VGS = 4.0V)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง