Vishay Si4190ADY Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4190ADY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB239.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB256.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,030 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 620THB47.87THB239.35
625 - 1245THB46.674THB233.37
1250 +THB45.954THB229.77

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
787-9235
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4190ADY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

Si4190ADY

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44.4nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Length

5mm

Height

1.5mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง