onsemi Isolated 2 Type P-Channel Small Signal, 430 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZD3152PT1G
- RS Stock No.:
- 780-4795
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTZD3152PT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB213.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB228.275
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 3,450 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 975 | THB8.534 | THB213.35 |
| 1000 - 1975 | THB8.32 | THB208.00 |
| 2000 + | THB8.192 | THB204.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-4795
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTZD3152PT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Small Signal | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 430mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-563 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 6 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 280mW | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 1.7mm | |
| Width | 1.3 mm | |
| Height | 0.6mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Small Signal | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 430mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-563 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 6 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 280mW | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 1.7mm | ||
Width 1.3 mm | ||
Height 0.6mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- ROHM Isolated EM6K6 2 Type N-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 EM6K6T2R
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-963
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-963 NTUD3170NZT5G
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 DMN2400UV-7
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Small Signal 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZD3154NT1G
