Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML2246TRPBF
- RS Stock No.:
- 760-4432
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML2246TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB28.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 585 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 113,440 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB5.74 | THB28.70 |
| 750 - 1495 | THB5.596 | THB27.98 |
| 1500 + | THB5.512 | THB27.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 760-4432
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLML2246TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 236mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.3W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-45-315 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 236mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.3W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4 mm | ||
Distrelec Product Id 304-45-315 | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML9303TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML5203TRPBF