Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 150 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC520N15NS3GATMA1
- RS Stock No.:
- 754-5323
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC520N15NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB91.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB97.744
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,794 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 1248 | THB45.675 | THB91.35 |
| 1250 - 2498 | THB44.545 | THB89.09 |
| 2500 + | THB43.865 | THB87.73 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 754-5323
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC520N15NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.1 mm | |
| Length | 5.35mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.1 mm | ||
Length 5.35mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ520N15NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD530N15N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON