onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 510 mA, 50 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 NDC7002N

RS Stock No.:: 739-0161
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDC7002N
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 510 mA, 50 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 NDC7002N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB64.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB69.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 7,645 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 745	THB12.948	THB64.74
750 - 1495	THB12.624	THB63.12
1500 +	THB12.43	THB62.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 739-0161
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDC7002N
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	510mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	50V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1nC
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	960mW
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Width	1.7 mm
	Height	1mm
	Length	3mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 510mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 50V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1nC
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 960mW
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Width 1.7 mm
	Height 1mm
	Length 3mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 510 mA, 50 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 NDC7002N

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง