Vishay SUM55P06-19L Type P-Channel MOSFET, 55 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM55P06-19L-E3
- RS Stock No.:
- 710-5020
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM55P06-19L-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB379.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB406.095
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 105 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | THB75.906 | THB379.53 |
| 200 - 395 | THB74.01 | THB370.05 |
| 400 + | THB72.872 | THB364.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 710-5020
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM55P06-19L-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SUM55P06-19L | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 19mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.75W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SUM55P06-19L | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 19mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.75W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SUM55P06-19L Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay Type P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Vishay Type P-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 SUM90P10-19L-E3
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB55NF06LT4
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9Z34NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263