Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 104 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4115PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB222.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB237.84

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 28 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 846 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 24THB111.14THB222.28
26 +THB107.815THB215.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
688-6932
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-29-286
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFB4115PBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

104A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

380W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

77nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.67mm

Standards/Approvals

No

Width

4.83mm

Height

9.02mm

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 150V Maximum Drain Source Voltage, 104A Maximum Continuous Drain Current - IRFB4115PBF


This MOSFET is a high-power N-channel enhancement device designed for switching and power-conversion tasks in demanding electronic systems. It operates across a wide thermal range suitable for challenging environments and is supplied in a through-hole TO-220 package for straightforward heatsinking and assembly. The device delivers substantial continuous drain current capability and is intended for applications requiring efficient high-current handling and rapid switching performance.

Features and Benefits:


• 150V maximum drain voltage enables high-voltage switching
• 104A continuous drain current supports heavy load handling
• 11 mΩ low RDS(on) minimises conduction losses at high current
• 380W power dissipation allows sustained thermal load
• 77 nC typical gate charge enables fast switching transitions
• 1.3V forward voltage reduces diode conduction drop

Applications


• Suitable for Infineon HEXFET 150V MOSFET TO-220 motor drivers
• Ideal for 150V 104A MOSFETs for switch-mode power supplies
• Used with high-power N-channel enhancement MOSFET circuits
• Can be used for TO-220 through-hole MOSFET 380W power stages

What gate voltage limits should designers observe?


The gate-to-source rating is ±20V, so drive circuits must keep VGS within that range to avoid gate damage.

How does the device perform over temperature extremes?


It is specified to operate from -55 °C to 175 °C, ensuring electrical characteristics are maintained across those ambient and junction conditions.

What mounting and pin-count considerations apply?


The component has three pins and is intended for through-hole mounting in a TO-220 format to facilitate secure heatsink attachment.

What channel and conduction mode does it use?


It is an N-channel device operating in enhancement mode, requiring a positive gate relative to source to turn on.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง