Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 104 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 124-9005
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB4115PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 104 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB4,182.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,475.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB83.645	THB4,182.25
100 - 150	THB81.827	THB4,091.35
200 +	THB80.008	THB4,000.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-9005
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB4115PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	104A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	77nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	380W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.83mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.02mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 104A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 77nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 380W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.83mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.02mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

COO (Country of Origin):: MX

Infineon HEXFET Series MOSFET, 150V Maximum Drain Source Voltage, 104A Maximum Continuous Drain Current - IRFB4115PBF

This MOSFET is a high-power N-channel enhancement device designed for switching and power-conversion tasks in demanding electronic systems. It operates across a wide thermal range suitable for challenging environments and is supplied in a through-hole TO-220 package for straightforward heatsinking and assembly. The device delivers substantial continuous drain current capability and is intended for applications requiring efficient high-current handling and rapid switching performance.

Features and Benefits:

• 150V maximum drain voltage enables high-voltage switching
• 104A continuous drain current supports heavy load handling
• 11 mΩ low RDS(on) minimises conduction losses at high current
• 380W power dissipation allows sustained thermal load
• 77 nC typical gate charge enables fast switching transitions
• 1.3V forward voltage reduces diode conduction drop

Applications

• Suitable for Infineon HEXFET 150V MOSFET TO-220 motor drivers
• Ideal for 150V 104A MOSFETs for switch-mode power supplies
• Used with high-power N-channel enhancement MOSFET circuits
• Can be used for TO-220 through-hole MOSFET 380W power stages

What gate voltage limits should designers observe?

The gate-to-source rating is ±20V, so drive circuits must keep VGS within that range to avoid gate damage.

How does the device perform over temperature extremes?

It is specified to operate from -55 °C to 175 °C, ensuring electrical characteristics are maintained across those ambient and junction conditions.

What mounting and pin-count considerations apply?

The component has three pins and is intended for through-hole mounting in a TO-220 format to facilitate secure heatsink attachment.

What channel and conduction mode does it use?

It is an N-channel device operating in enhancement mode, requiring a positive gate relative to source to turn on.