Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 85 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4321PBF
- RS Stock No.:
- 178-1416
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB4321PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB4,570.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,890.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB91.411 | THB4,570.55 |
| 100 - 150 | THB89.424 | THB4,471.20 |
| 200 + | THB87.437 | THB4,371.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-1416
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB4321PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30V, +30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 71nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.82mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.66mm | |
| Height | 9.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 71nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.82mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.66mm | ||
Height 9.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 150V Maximum Drain-Source Voltage, 85A Maximum Continuous Drain Current - IRFB4321PBF
This MOSFET is a through‑hole power transistor designed for high‑current switching in demanding environments. It is an N‑channel enhancement device supplied in a TO‑220 package for straightforward PCB mounting. The component supports wide operating temperatures suited to industrial contexts and conforms to RoHS.
Features and Benefits:
• 350W maximum power dissipation enables heavy‑load handling
• 15mΩ Rds(on) minimises conduction losses
• 71 nC typical gate charge supports Rapid switching control
• 30V maximum gate-source voltage allows robust gate drive
• -55°C to 175°C operating range sustains harsh environments
• 15mΩ Rds(on) minimises conduction losses
• 71 nC typical gate charge supports Rapid switching control
• 30V maximum gate-source voltage allows robust gate drive
• -55°C to 175°C operating range sustains harsh environments
Applications
• Suitable for high‑current power‑supply output stages
• Ideal for motor‑drive switching elements
• Used with heatsinked regulators in industrial systems
• Can be used for DC-DC converter switching
• Suitable for through‑hole replacement in legacy boards
• Ideal for motor‑drive switching elements
• Used with heatsinked regulators in industrial systems
• Can be used for DC-DC converter switching
• Suitable for through‑hole replacement in legacy boards
What mounting method does it use?
It is supplied in a TO‑220 package intended for through‑hole mounting and heatsinking.
What kind of channel and switching mode does it use?
The device is an N‑channel, enhancement‑mode transistor designed for fast switching in power circuits.
What are the limits for gate and drain voltages?
The gate may be driven up to 30V and the drain-source voltage can reach 150V.
How much continuous current can it handle and what is the thermal capacity?
It supports 85A continuous drain current with a maximum power dissipation of 350W.
Are there environmental or approval considerations for use?
The component meets RoHS requirements and operates across a temperature span from -55°C to 175°C.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4321PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V TO-263 IRFS4321TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4615PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3415PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
