Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V TO-263 IRFB3307PBF
- RS Stock No.:
- 257-5512
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB3307PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 100 ชิ้น)*
THB6,286.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,726.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | THB62.867 | THB6,286.70 |
| 500 - 900 | THB51.832 | THB5,183.20 |
| 1000 - 1900 | THB42.803 | THB4,280.30 |
| 2000 - 4900 | THB41.80 | THB4,180.00 |
| 5000 + | THB41.466 | THB4,146.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5512
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB3307PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | PCB | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.3mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type PCB | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.3mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard through-hole power package
High-current rating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V TO-263 IRFB3307PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3307ZPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V TO-263 IRFS3107TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V TO-263 IRFS3607TRLPBF
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263