onsemi NDT Type P-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 124-1359
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDT456P
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NDT Type P-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB137,028.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB146,620.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB34.257	THB137,028.00
8000 - 12000	THB33.229	THB132,916.00
16000 +	THB32.232	THB128,928.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-1359
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDT456P
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-223
	Series	NDT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	54mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	47nC
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	3W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.7 mm
	Length	6.7mm
	Height	1.7mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-223
	Series NDT
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 3W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.7 mm
	Length 6.7mm
	Height 1.7mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.