onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 1 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FQT5P10TF
- RS Stock No.:
- 671-1068
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FQT5P10TF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB155.33
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB166.205
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 14,585 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 995 | THB31.066 | THB155.33 |
| 1000 - 1995 | THB30.286 | THB151.43 |
| 2000 + | THB29.826 | THB149.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 671-1068
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FQT5P10TF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | QFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.05Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -4V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.56 mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series QFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.05Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -4V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.56 mm | ||
Length 6.5mm | ||
Height 1.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FQT7N10LTF
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FQT4N20LTF
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP322PH6327XTSA1
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
