onsemi QFET N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD13N10TM

RS Stock No.:: 671-0961
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD13N10TM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD13N10TM

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 625 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB467.50

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB148.83

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB159.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

2,085 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
5 - 620	THB29.766	THB148.83	-
625 - 1245	THB29.018	THB145.09	THB467.50
1250 +	THB28.564	THB142.82	THB1,502.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-0961
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD13N10TM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	QFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-25V, +25V
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.1mm
	Height	2.3mm
	Length	6.6mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series QFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -25V, +25V
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.1mm
	Height 2.3mm
	Length 6.6mm
	Automotive Standard No

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD13N10TM

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง