onsemi QFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD12N20LTM

RS Stock No.:: 124-1718
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD12N20LTM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD12N20LTM

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 5000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB2,445.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB40,810.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB43,667.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
2500 - 2500	THB16.324	THB40,810.00	-
5000 - 7500	THB15.835	THB39,587.50	THB2,445.00
10000 +	THB15.359	THB38,397.50	THB9,650.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-1718
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD12N20LTM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	QFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	280mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.1mm
	Length	6.6mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.3mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series QFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.1mm
	Length 6.6mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.3mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi QFET N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FQD12N20LTM

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง