onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 166-2636
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD13N10LTM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB31,452.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33,655.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB12.581	THB31,452.50
5000 - 7500	THB12.204	THB30,510.00
10000 +	THB11.838	THB29,595.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-2636
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQD13N10LTM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	QFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.7nC
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.1 mm
	Height	2.3mm
	Length	6.6mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series QFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.7nC
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.1 mm
	Height 2.3mm
	Length 6.6mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi QFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง