onsemi SuperFET Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB11N60TM

RS Stock No.:: 671-0337
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FCB11N60TM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi SuperFET Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB11N60TM

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB60.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB64.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

579 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 199	THB60.51
200 - 399	THB59.00
400 +	THB58.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-0337
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FCB11N60TM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	SuperFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	380mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	40nC
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Width	9.65 mm
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series SuperFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 380mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Width 9.65 mm
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.

Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi SuperFET Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB11N60TM

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง