onsemi SUPERFET V Type N-Channel MOSFET, 57 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*

THB177,655.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB190,093.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
450 - 450THB394.79THB177,655.50
900 +THB393.874THB177,243.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
230-9086
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTHL041N60S5H
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

57A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

SUPERFET V

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

329W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.82 mm

Standards/Approvals

Pb-Free, RoHS

Length

15.87mm

Height

41.07mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor series SUPERFET V MOSFET is the fifth generation high voltage super−junction (SJ) MOSFET family from ON Semiconductor. SUPERFET V delivers best−in−class FOMs (RDS(ON)·QG and RDS(ON)·EOSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600 V SUPERET V series provides design benefits through reduced conduction and switching losses, while supporting extreme MOSFET dVDS/dt ratings at 120 V/ns. Consequently, the SUPERFET V MOSFET FAST series helps maximize system efficiency and power density.

100% Avalanche Tested

RoHS Compliant

Typ. RDS(on) = 32.8 mΩ

Internal Gate Resistance: 0.6 Ω

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 108 nC)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง