Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 74 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRF4905LPBF

RS Stock No.:: 650-3662
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF4905LPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 74 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRF4905LPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB285.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB305.615

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 5 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB57.124	THB285.62
15 - 20	THB55.694	THB278.47
25 +	THB54.84	THB274.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 650-3662
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF4905LPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	74A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-262
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	180nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	10.54mm
	Width	4.83 mm
	Length	10.67mm
	Distrelec Product Id	304-29-285
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 74A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-262
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 10.54mm
	Width 4.83 mm
	Length 10.67mm
	Distrelec Product Id 304-29-285
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, -70A Maximum Continuous Drain Current, 3.8W Maximum Power Dissipation - IRF4905LPBF

This Infineon MOSFET features a P-channel configuration and is capable of handling -70A of continuous drain current with a maximum drain-source voltage of 55V. It is designed for high-performance applications, particularly in electronic circuits that require effective power management and high efficiency. It is suitable for users in the automation and electronics sectors, offering dependable operation in various environments.

Features & Benefits

• Enhanced performance at high temperatures, up to +175°C

• Low RDS(on) for decreased power losses during operation

• Fast switching capabilities to improve efficiency

• Tolerates repetitive avalanche conditions without failure

• Effective gate charge characteristics for better circuit responsiveness

Applications

• Used in power management circuits for energy-efficient devices

• Ideal for brushless DC motor control

• Applicable in automotive electronics for increased reliability

• Suitable for industrial automation systems that require robust components

What type of voltage can be handled during operation?

It can handle a maximum drain-source voltage of 55V, making it suitable for moderate to high voltage applications.

Can this device operate at elevated temperatures?

Yes, it has an operating temperature range of -55°C to +175°C, allowing it to function in extreme conditions.

How does the low RDS(on) benefit circuit design?

The low RDS(on) reduces conduction losses, resulting in enhanced efficiency and lower heat generation in power applications.

Is this component compatible with typical PCB designs?

Yes, it is designed for through-hole mounting, allowing for seamless integration into standard PCB layouts used in various electronic designs.

What are the gate threshold voltage values for this MOSFET?

The maximum gate threshold voltage is 4V, and the minimum is 2V, ensuring your circuit switches correctly at low voltages.