Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 169 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1405PBF

RS Stock No.:: 543-1099
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF1405PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 169 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1405PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB67.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB72.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,840 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 244 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 +	THB67.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 543-1099
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF1405PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	169A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	330W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	170nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	8.77mm
	Length	10.67mm
	Width	4.83 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 169A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 330W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 8.77mm
	Length 10.67mm
	Width 4.83 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Infineon HEXFET Series MOSFET, 169A Maximum Continuous Drain Current, 330W Maximum Power Dissipation - IRF1405PBF

This MOSFET is intended for various applications, offering strong performance in power management solutions. With its robust specifications and advanced processing techniques, it is a key component in the automation and electronics sectors. Its capability to manage high currents and voltages makes it vital for numerous industrial processes.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 169A enhances durability

• Rated for 55V, ensuring operation under high voltage conditions

• Low on-resistance of 5mΩ minimises power loss during operation

• Fast switching capability increases system efficiency

• Features enhancement mode for optimal operation

Applications

• Used in industrial motor drives for efficient control

• Suitable for high-current in power supplies

• Ideal for automation equipment driving motors

• Effective in converters and inverters for renewable energy systems

What is the maximum gate-to-source voltage limit?

The maximum gate-to-source voltage is ±20V, ensuring safe operation.

How does this device handle thermal management?

It operates effectively up to 175°C, providing reliability in high-temperature conditions.

What factors should be considered during installation?

Ensure proper mounting torque and account for the thermal resistance of the heatsink to maintain efficient performance.

Can it be used in switching applications?

Yes, it features fast switching capabilities appropriate for high-speed applications, reducing response time.

What gate charge values can be expected during operation?

The typical gate charge is 170nC at 10V, facilitating quick turn-on and turn-off times.