Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 542-9462
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9610PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB40.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB43.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 47 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 948 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB40.32
13 - 24	THB39.31
25 +	THB38.71

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 542-9462
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9610PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-220
	Series	IRF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Forward Voltage Vf	-5.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.7 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.01mm
	Length	10.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-220
	Series IRF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Forward Voltage Vf -5.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.7 mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.01mm
	Length 10.41mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

The Vishay power MOSFETs technology is the key to advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง