MPN

Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 542-9462
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9610PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB40.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB43.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB40.32
13 - 24	THB39.31
25 +	THB38.71

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 542-9462
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9610PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	IRF
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-5.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.41mm
	Height	9.01mm
	Width	4.7 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series IRF
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -5.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.41mm
	Height 9.01mm
	Width 4.7 mm
	Automotive Standard No

The Vishay power MOSFETs technology is the key to advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W.

Dynamic dV/dt rating

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Vishay IRF Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง