Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 913-3979
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB4310PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB3,732.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,993.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 200	THB74.642	THB3,732.10
250 - 450	THB72.402	THB3,620.10
500 +	THB70.231	THB3,511.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 913-3979
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB4310PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	130A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	170nC
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.02mm
	Width	4.82 mm
	Length	10.66mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 130A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.02mm
	Width 4.82 mm
	Length 10.66mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

COO (Country of Origin):: MX

Infineon HEXFET Series MOSFET, 130A Maximum Continuous Drain Current, 300W Maximum Power Dissipation - IRFB4310PBF

This robust and efficient power transistor is designed for high-performance applications in automation, electronics, and the electrical industry. The N-channel technology provides advantages in power management and switching capabilities. Its operating temperature range of -55°C to +175°C enhances its versatility and reliability across various environments.

Features & Benefits

• Supports up to 130A continuous drain current for substantial load demands

• Operates with a maximum voltage of 100 V for improved utility

• Low RDS(on) of 7 mΩ minimises power loss

• Features enhancement mode operation to enhance efficiency

• Integrated ruggedness with avalanche and dynamic dV/dt capabilities

• Fully characterised capacitance for precise performance optimisation

Applications

• Utilised in high-efficiency synchronous rectification systems

• Employed within uninterruptible power supplies for dependable energy backup

• Suitable for high-speed power switching circuits

• Designed for hard-switched and high-frequency

How does the low RDS(on) impact efficiency?

The low RDS(on) reduces heat generation during operation, leading to enhanced power delivery efficiency.

What is the significance of avalanche capability?

Avalanche capability protects the device from excessive voltage spikes, promoting stable performance under challenging conditions.

Can this device be used in high-frequency applications?

Yes, this MOSFET is designed for high-frequency circuits, making it suitable for various advanced applications.

What is the maximum current it can handle at elevated temperatures?

At a case temperature of 100°C, the maximum continuous drain current can reach 92 A, ensuring dependable performance.

How should it be mounted for optimal performance?

It is recommended to mount the device on a flat greased surface to maximise thermal transfer to the heatsink.