Vishay SiHA125N60EF Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 204-7241
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHA125N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB151,354.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB161,949.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB151.354 | THB151,354.00 |
| 2000 - 3000 | THB146.813 | THB146,813.00 |
| 4000 + | THB142.409 | THB142,409.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-7241
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHA125N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SiHA125N60EF | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 28.1mm | |
| Width | 9.7 mm | |
| Height | 4.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SiHA125N60EF | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 28.1mm | ||
Width 9.7 mm | ||
Height 4.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.
Avalanche energy rated (UIS)
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHA125N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA125N60EF-GE3
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP13NM60N
- Vishay SiHP052N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHA105N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220