Vishay Single 1 N-Channel MOSFET, 8.5 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFB9N65APBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
541-1938
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFB9N65APBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

8.5 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

650 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

3

Package Type

TO-220AB

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

930 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

167 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Through Hole

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง