Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 11 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9024NTRPBF
- RS Stock No.:
- 168-7942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR9024NTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 4000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,744.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB29,060.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB31,100.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 8,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB14.53 | THB29,060.00 | - |
| 4000 - 6000 | THB14.094 | THB28,188.00 | THB1,744.00 |
| 8000 + | THB13.671 | THB27,342.00 | THB6,872.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 168-7942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR9024NTRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 175mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | -1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.39mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 175mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf -1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.39mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET Series MOSFET, 11A Maximum Continuous Drain Current, 38W Maximum Power Dissipation - IRFR9024NTRPBF
Features & Benefits
Applications
What is the maximum power dissipation of this component?
How does the product handle gate voltages?
What is the thermal performance of the device?
Is it easy to mount on a PCB?
How does this MOSFET perform under varying temperatures?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9024NTRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR9024NTRLPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU9024NPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5505TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5305TRPBF
