N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A60W,S4VX(M

RS Stock No.:: 125-0532
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TK10A60W,S4VX(M
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Toshiba

N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A60W,S4VX(M

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ราคา / Price Each: (In a Pack of 5)

THB49.126

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB52.565

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

30 มีของพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าทั่วโลก (Global stock) ภายใน (Within) 4-6 วันทำการ (working days)*

5 มีของพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าทั่วโลก (Global stock) ภายใน (Within) 4-6 วันทำการ (working days)

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
5 +	THB49.126	THB245.63

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 125-0532
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: TK10A60W,S4VX(M
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Toshiba

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	9.7 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	TO-220SIS
Series	DTMOSIV
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	380 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.7V
Maximum Power Dissipation	30 W
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	4.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	20 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Length	10mm
Height	15mm
Forward Diode Voltage	1.7V

N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A60W,S4VX(M

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง