Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 53 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ46NPBF

RS Stock No.:: 541-0711
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFZ46NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 53 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ46NPBF

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB34.13

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB36.52

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

เพิ่มอีก 11 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
738 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 05 มกราคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB34.13
13 - 24	THB33.26
25 +	THB32.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 541-0711
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFZ46NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	53A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Package Type	TO-220AB
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	17mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	72nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	107W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.66mm
	Height	9.02mm
	Width	4.82 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 53A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Package Type TO-220AB
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 107W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.66mm
	Height 9.02mm
	Width 4.82 mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Infineon HEXFET Series MOSFET, 53A Maximum Continuous Drain Current, 107W Maximum Power Dissipation - IRFZ46NPBF

This MOSFET is essential for high-efficiency applications in automation and electronics. It effectively manages significant currents and voltages, making it applicable in various industrial settings. Its advanced design supports reliable operation in extreme temperatures, addressing diverse electronic needs while simplifying circuit designs.

Features & Benefits

• Continuous drain current capability of 53A for demanding loads

• Maximum power dissipation of 107W for effective thermal management

• Low on-resistance of 17mΩ, improving efficiency

• Enhancement mode design allows for versatile application

• Defined gate threshold voltage specifications ensure precise control

Applications

• Power conversion in industrial automation systems

• Motor control and driving circuits

• Power management systems for energy-efficient designs

• Implementation in switch mode power supplies for consistency

• Electronic switching requiring swift response

Can it operate at high temperatures?

Yes, it operates efficiently at temperatures up to +175°C.

What current can it handle at elevated temperatures?

At 100°C, it can safely manage a continuous drain current of 37A.

How do I ensure optimal thermal performance during installation?

Using a TO-220AB package with adequate heat sinking can effectively minimise thermal resistance and ensure performance.

What are the gate threshold voltage specifications?

The gate threshold voltage is specified to range between 2V and 4V for accurate operational control.

Is it suitable for use in power supplies?

Yes, it is effective in switch mode power supplies due to its rapid switching capabilities and low on-resistance.