Vishay IRFD Type N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP
- RS Stock No.:
- 541-0531
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFD210PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB43.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB46.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB43.04 |
| 25 - 49 | THB41.97 |
| 50 + | THB41.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 541-0531
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFD210PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 600mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | HVMDIP | |
| Series | IRFD | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Forward Voltage Vf | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 3.37mm | |
| Width | 6.29 mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 600mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type HVMDIP | ||
Series IRFD | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Forward Voltage Vf 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 3.37mm | ||
Width 6.29 mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFD Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRFD210PBF
- Vishay IRFD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRFD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF
- Vishay IRFD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRFD014PBF
- Vishay IRFD Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRFD120PBF
- Vishay IRLD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRLD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP
- Vishay IRLD Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRLD024PBF
