Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, -0.4 A, 200 V, 4-Pin HVMDIP
- RS Stock No.:
- 180-8628
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFD9210PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB695.84
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB744.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 160 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | THB34.792 | THB695.84 |
| 40 - 40 | THB33.922 | THB678.44 |
| 60 + | THB33.40 | THB668.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8628
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFD9210PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -0.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | HVMDIP | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 8.38mm | |
| Length | 10.79mm | |
| Width | 5 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -0.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type HVMDIP | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 8.38mm | ||
Length 10.79mm | ||
Width 5 mm | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The Vishay IRFD9210 is a P-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -200V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having HVMDIP package. It offers drain to source resistance (RDS.) 3ohms at 10VGS.
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
For automatic insertion
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 200 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9210PBF
- Vishay IRFD9020 Type P-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 50 V, 4-Pin HVMDIP
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 100 V TO-263
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 50 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-263
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V, 3-Pin
