STMicroelectronics STW65N Type N-Channel MOSFET, 54 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247-4 STW65N045M9-4
- RS Stock No.:
- 287-7053
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW65N045M9-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB9,623.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,297.17
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 300 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB320.784 | THB9,623.52 |
| 60 - 60 | THB288.691 | THB8,660.73 |
| 90 + | THB259.828 | THB7,794.84 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 287-7053
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW65N045M9-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 54A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247-4 | |
| Series | STW65N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 312W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 54A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247-4 | ||
Series STW65N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 312W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is based on the most innovative super junction MDmesh M9 technology. The silicon based M9 technology benefits from a multi drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
Easy to drive
100 percent avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STW65N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247-4 STW65N045M9-4
- STMicroelectronics MDmesh M9 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M9 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA65N045M9
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-LHSOF-4 IMTA65R040M2HXTMA1
- IXYS X2-Class Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247 IXTR102N65X2
- IXYS X2-Class Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247
- STMicroelectronics N-Channel STHU60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics N-Channel STHU60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG