STMicroelectronics MDmesh M9 Type N-Channel MOSFET, 54 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA65N045M9
- RS Stock No.:
- 151-781
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA65N045M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB12,108.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,955.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 + | THB403.613 | THB12,108.39 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-781
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA65N045M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 54A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | MDmesh M9 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 312W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 20.10mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 15.90 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 54A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series MDmesh M9 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 312W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 20.10mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 15.90 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET, I t is based on the most innovative super-junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super-junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency
Higher VDSS rating
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
Easy to drive
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics MDmesh M9 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STW65N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247-4 STW65N045M9-4
- IXYS X2-Class Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247 IXTR102N65X2
- IXYS X2-Class Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PG-LHSOF-4 IMTA65R040M2HXTMA1
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247