Vishay SQJ162EP Type N-Channel MOSFET, 166 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8L SQJ162EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 280-0018
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ162EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB68,436.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB73,227.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB22.812 | THB68,436.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 280-0018
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ162EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 166A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SQJ162EP | |
| Package Type | SO-8L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.005Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 166A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SQJ162EP | ||
Package Type SO-8L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.005Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
AEC-Q101 qualified
Fully lead (Pb)-free device
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJ162EP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8L SQJ162EP-T1_GE3
- Vishay SQJ740EP 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8L SQJ740EP-T1_GE3
- Vishay SQJ740EP 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8L
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ136ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ154EP-T1_GE3
- Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L