Vishay SiSS5623DN Type P-Channel MOSFET, 36.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5623DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

presentation
Vishay SiSS5623DN Type P-Channel MOSFET, 36.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5623DN-T1-GE3
RS Stock No.
280-0001

Each: (In a Pack of 4)

THB339.48

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB363.24

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:
280-0000
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS5623DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

36.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

1212-8S

Series

SiSS5623DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.046Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง