Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 60.6 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR4409DP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 279-9940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4409DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB298.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB319.095
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB59.644 | THB298.22 |
| 50 - 95 | THB44.708 | THB223.54 |
| 100 - 245 | THB39.694 | THB198.47 |
| 250 - 995 | THB38.946 | THB194.73 |
| 1000 + | THB38.202 | THB191.01 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9940
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR4409DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SiR | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.009Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 59.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 126nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SiR | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.009Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 59.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 126nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
New generation power MOSFET
100 percent Rg and UIS tested
Ultra low RDS x Qg FOM product
Fully lead (Pb)-free device
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR4409DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5623DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5607DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5211DP-T1-GE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5108DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5110DP-T1-RE3
- Vishay SiR Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5112DP-T1-RE3