Vishay SiR Type P-Channel MOSFET, 105 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5211DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB226.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB242.525

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 5,945 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB45.332THB226.66
50 - 95THB34.026THB170.13
100 - 245THB30.184THB150.92
250 - 995THB29.62THB148.10
1000 +THB29.054THB145.27

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
279-9949
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR5211DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

105A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SiR

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0062Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

158nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Fully lead (Pb)-free device

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง