Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 277 A, 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 279-9938
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJH5100E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB215.54
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB230.63
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB215.54 |
| 50 - 99 | THB211.44 |
| 100 - 249 | THB194.61 |
| 250 - 999 | THB190.52 |
| 1000 + | THB186.88 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9938
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJH5100E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 277A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | 8x8L | |
| Series | SIJH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00189Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 128nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 7.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 277A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type 8x8L | ||
Series SIJH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00189Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 128nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 7.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3
- Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- Vishay SQJQ936EL 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SQJQ936EL-T1_GE3
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SiJ462ADP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK