Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 268-8325
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJH5700E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB214.97
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB230.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,870 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB214.97 |
| 50 - 99 | THB193.28 |
| 100 - 249 | THB158.32 |
| 250 - 999 | THB155.10 |
| 1000 + | THB113.71 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8325
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJH5700E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 174A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Series | SIJH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0041Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 7.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 174A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Series SIJH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0041Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 7.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH800E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH600E-T1-GE3
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK