Vishay SIHG N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG155N60EF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB346.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB370.958

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 464 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 2THB173.345THB346.69
4 - 8THB169.84THB339.68
10 - 28THB166.335THB332.67
30 - 98THB162.83THB325.66
100 +THB156.815THB313.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
279-9912
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHG155N60EF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247AC

Series

SIHG

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.159Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay SIHG Series MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 21A Maximum Continuous Drain Current - SIHG155N60EF-GE3


This MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for power conversion and control in demanding electronic systems. It operates as an N-channel enhancement device intended for through-hole mounting in a TO-247AC package, offering robust electrical performance across a wide temperature range for industrial and laboratory environments.

Features and Benefits:


• 600V drain rating enables high-voltage switching applications
• 21A continuous drain current supports substantial load drive
• 0.159 Ω low Rds(on) reduces conduction losses
• 179W power dissipation allows high-power operation
• 38 nC typical gate charge improves switching-speed control
• 30V gate-source limit ensures compatibility with common drive voltages

Applications


• Suitable for switch-mode power supplies in industrial equipment
• Ideal for high-voltage motor drives and inverters
• Used for power-factor-correction modules in large systems
• Can be used for high-power audio amplification switching stages
• Appropriate for laboratory power-electronics prototyping

What thermal range can it withstand during operation?


It functions between -55 °C and 150 °C, supporting use in both low-temperature testing and elevated thermal conditions.

How is it mounted and connected on hardware?


The device is supplied in a through-hole TO-247AC package with three pins for standard PCB or heatsink attachment.

What type of channel and conduction mode does it employ?


It uses an N-type channel operating in enhancement mode, requiring a positive gate drive to conduct.

Are there specific approval standards noted for this component?


It complies with RoHS requirements, indicating restriction of certain hazardous substances.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง