Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG155N60EF-GE3
- RS Stock No.:
- 279-9912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG155N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB346.69
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB370.958
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 470 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | THB173.345 | THB346.69 |
| 4 - 8 | THB169.84 | THB339.68 |
| 10 - 28 | THB166.335 | THB332.67 |
| 30 - 98 | THB162.83 | THB325.66 |
| 100 + | THB156.815 | THB313.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG155N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Series | SIHG | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.159Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 15.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247AC | ||
Series SIHG | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.159Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 15.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Reduced switching and conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG155N60EF-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG150N60E-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG085N60EF-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP155N60EF-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG25N40D-GE3
- Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB SIHP21N60EF-GE3
- Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB